电压当量（电压当量n发射极电流比反向电流）
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请问温度电压当量在常温下(27℃)应该取多少?
1、最常用的热偶式温度测试头为K型。而 K-型探头在摄氏27度时的结间电压的标称值为 081亳伏（mV）。
2、在室温27°C左右时，（相当T=300 K），则有温度电压当量为UT=26 mV。
3、UT是温度电压当量，常温下UT=26mv（T=300K）。在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都要PN结移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。
模电,BJT管的vt是怎么得到的?
1、首先，NPN和PNP三极管通过在基极施加电流来控制导通，NPN适用于底边驱动，PNP则用于高边驱动。尽管三极管看似由两个二极管结构拼接，但实际上其内部设计巧妙，发射区掺杂浓度高，基区薄而集电极大，决定了它能实现电流的控制。三极管的工作原理涉及发射、基、集电三个区的载流子流动。
2、模电的逻辑是这样的，先讲半导体器件，bjt，mos，jfet等，他们就相当于能实现水流放大的管道，你得先知道这个管道放大信号的原理。其次呢，讲放大的一般模型，H参数，Y参数，Z参数等等。这些就是告诉你在输入输出端口关注不同的量，会有不同的小信号模型，这些个模型对以后的交流分析至关重要。
3、反馈类型（瞬时极性法）：可见反馈与输入相位相同——正反馈。对于场效应管（FET），其栅极与源极同相，漏极与其他两极反相；对于结型晶体管（BJT），其基极与发射极同相，集电极与其他两极反相。
4、BJT晶体管工作于放大区时，集电极电流=β（共射电流放大倍数）×基极电流，很小的基极电流变化能控制产生很大的集电极电流变化，而且二者变化量（增量，Δi）成一定比例，能够实现电流放大。
请问题中26mv是如何得出的?
1、这里的26mV是一个叫温度电压当量的电压量的计算值。温度的电压当量UT：闭合电路中，由于两点间存在温差而出现的电位差叫做热电压（Thermal voltage）。也称为温度电压当量。温度电压当量关系是与热力学温度成正比的。
2、Vbeq为发射结的静态压降=0.7V，就是硅PN结的导通压降即0.7V。rbe计算式中出现的26mV，该量是“温度的电压当量”VT，常温（300K，即285℃）时VT=26mV。
3、交流电阻 = UT/Id，其中UT是个常数26mV（与温度和材料特性相关）。因此交流电阻 = 26mV÷1mA = 26Ω。26mV这个常数是要背下来的。
4、当我们将这些基本物理量代入公式，我们便能得到UT的数值。在常温27C下，热电压Vt大约为26毫伏（mV），这个数值看似微小，但在晶体管的开关动作和电路设计中却发挥着至关重要的作用。它影响着晶体管的开启电压，决定着电路的阈值，从而决定了电子信号的传输效率和稳定性。
5、首先，这图是猜的，因为你没图。其次，你说的问题1所谓的26，我觉得是0.6V 然后，你再去看看你的问题2对不对吧。最后，不得不说，没图你问个JB。
ut等于多少
UT是温度电压当量，常温下UT=26mv（T=300K）。在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都要PN结移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。
UT=KT/q叫热电势，常温300K下，UT=26mV，在模电中都采用这个值。
该电路在常温下UT等于26mV。在模拟电路中，UT通常指的是热电势，它与温度和材料有关。UT是用于描述热电偶效应的物理量，即两个不同材料之间的温差会产生电动势。在常温300K下，对于大多数金属和半导体材料，UT的值大约为26mV。
